Abrasivi in carburo di silicio verde ad elevata purezza, con materie prime in carburo di silicio a cristalli grandi, per garantire eccellenti prestazioni di taglio e uno stato fisico stabile della micropolvera di carburo di silicio da taglio.
| ANALISI CHIMICA TIPICA | |
| SiC | ≥99,05% |
| SiO2 | ≤0,20% |
| F,Si | ≤0,03% |
| Fe2O3 | ≤0,10% |
| FC | ≤0,04% |
| PROPRIETÀ FISICHE TIPICHE | |
| Durezza: | Durezza Mohs: 9,5 |
| Punto di fusione: | Sublime a 2600 ℃ |
| Temperatura massima di esercizio: | 1900℃ |
| Peso specifico: | 3,20-3,25 g/cm³ |
| Densità apparente (LPD): | 1,2-1,6 g/cm³ |
| Colore: | Verde |
| Forma della particella: | Esagonale |
| Taglie: | |
| Micropolvere: JIS:240# 280# 320# 360# 400# 500# 600# 700# 800# 1000# 1200# 1500# 2000# 2500# 3000# 4000# 6000# 8000# 10000# ALIMENTAZIONE: F230 F240 F320 F360 F400 F500 F600 F800 F1000 F1200 F1500 F2000 | |
1. Eccellenti prestazioni di lucidatura
- L’elevata durezza e la forma definita dei grani garantiscono una finitura superficiale superiore sui wafer di silicio.
- Rimuove efficacemente difetti superficiali, graffi e strati irregolari.
2. Elevata efficienza di taglio
- Elevata capacità di levigatura, che migliora notevolmente la velocità di lucidatura e l’efficienza produttiva.
- Prestazioni di resistenza all’abrasione stabili con bassi consumi.
3. Dimensione uniforme delle particelle
- La distribuzione ristretta delle particelle garantisce un effetto di lucidatura uniforme su tutti i wafer.
- Evitare una lucidatura eccessiva o danni localizzati alla superficie.
4. Buona stabilità chimica
- Resistente alle alte temperature e alla corrosione chimica in presenza di paste lucidanti.
- Bassa reazione chimica con i substrati di silicio, nessuna contaminazione.
5. Danni superficiali di lieve entità
- La grana fine e regolare causa danni minimi alla superficie dei wafer di silicio.
- Ideale per la lucidatura di precisione di wafer di silicio di grado semiconduttore.
6. Conveniente
- Lunga durata e qualità stabile, con conseguente riduzione dei costi complessivi di produzione.