Polvere di lappatura al carburo di silicio verde (GC)
1. Introduzione di base
La polvere di lappatura in carburo di silicio verde è una polvere fine di carburo di silicio alfa ad elevata purezza, caratterizzata da un colore verde brillante, un’altissima durezza, eccellenti proprietà autoaffilanti, stabilità chimica e granulometria rigorosamente controllata. È ampiamente utilizzata per la lappatura di precisione, la rettifica fine e la lucidatura a specchio di materiali duri e fragili, in particolare nei settori dell’elettronica, dei semiconduttori e della ceramica elettronica.
| ANALISI CHIMICA TIPICA | |
| SiC | ≥99,05% |
| SiO2 | ≤0,20% |
| F,Si | ≤0,03% |
| Fe2O3 | ≤0,10% |
| FC | ≤0,04% |
| PROPRIETÀ FISICHE TIPICHE | |
| Durezza: | Durezza Mohs: 9,5 |
| Punto di fusione: | Sublime a 2600 ℃ |
| Temperatura massima di esercizio: | 1900℃ |
| Peso specifico: | 3,20-3,25 g/cm³ |
| Densità apparente (LPD): | 1,2-1,6 g/cm³ |
| Colore: | Verde |
| Forma della particella: | Esagonale |
| Taglie disponibili: | |
| Micropolvere: JIS:240# 280# 320# 360# 400# 500# 600# 700# 800# 1000# 1200# 1500# 2000# 2500# 3000# 4000# 6000# 8000# 10000# ALIMENTAZIONE: F230 F240 F320 F360 F400 F500 F600 F800 F1000 F1200 F1500 F2000 | |
2. Proprietà principali
- Elevata purezza : contenuto di SiC ≥98,5%~99,0%, basso contenuto di silicio libero, ferro e impurità nocive, adatto per applicazioni di semiconduttori e ceramiche elettroniche di alto livello.
- Durezza elevatissima : durezza Mohs 9,2–9,5, inferiore solo a quella del diamante e del CBN; elevata capacità di taglio e lunga durata.
- Eccellente capacità di autoaffilatura : i grani si fratturano gradualmente durante la lappatura, esponendo continuamente nuovi taglienti affilati, senza facile passivazione.
- Buona conducibilità termica : rapida dissipazione del calore durante la rettifica, evitando efficacemente danni termici e micrograffi sui pezzi in lavorazione.
- Inerzia chimica : resistente ad acidi e alcali, resistenza all’ossidazione ad alta temperatura; nessuna contaminazione per i componenti di precisione.
- Dimensione delle particelle controllata : una distribuzione ristretta delle dimensioni delle particelle e una granulometria fine in micron consentono di ottenere una superficie a specchio ultra-liscia con bassa rugosità.
3. Applicazioni principali
- Materiali semiconduttori ed elettronici: lappatura di precisione e lucidatura a specchio di wafer di silicio, substrati di zaffiro, cristalli di quarzo e substrati ceramici di AlN/allumina.
- Industria della ceramica elettronica
- Lucidatura di precisione delle superfici di substrati ceramici di allumina
- Sbavatura e finitura di precisione di componenti ceramici per imballaggi e isolamento.
- Levigatura superficiale del nastro verde MLCC e dei componenti in ceramica piezoelettrica
- Ottica e vetro di precisione: lenti ottiche, prismi, connettori per fibra ottica, lucidatura di alta precisione delle superfici in vetro indossabile.
- Leghe dure e stampi di precisione: lappatura e finitura di utensili in carburo, ugelli, cuscinetti in ceramica e stampi di precisione.
4. Specifiche comuni
- Dimensione delle particelle: FEPA F230–F2000; JIS #800–#10000
- Grado elettronico D50: 1~5 μm
- Aspetto: polvere verde pura, buona fluidità, bassa agglomerazione
5. Confronto con la polvere di lappatura di allumina fusa bianca
- Durezza: SiC verde > Allumina bianca, maggiore efficienza di macinazione
- Tenacità: l’allumina bianca è più resistente; il SiC verde è più fragile ma ha una migliore capacità di autoaffilatura.
- Finitura superficiale: il SiC verde offre una minore rugosità e un migliore effetto specchio per ceramiche elettroniche di precisione
- Applicazione: Allumina bianca per sgrossatura pesante; SiC verde per lappatura fine e lucidatura a specchio.