Micropolvere di carburo di silicio verde per lucidatura wafer

La polvere di carburo di silicio (SiC) verde utilizzata nella lucidatura dei wafer semiconduttori è un materiale chiave. È ampiamente utilizzata nei processi di lucidatura di precisione grazie alla sua elevata durezza, all’eccellente stabilità chimica e alla stabilità termica.

1. Caratteristiche del carburo di silicio verde

—Elevata durezza (durezza Mohs 9,2): seconda solo al diamante e al nitruro di boro cubico, adatta alla lavorazione di materiali duri (come silicio, wafer di carburo di silicio).

—Inerzia chimica: non reagisce con acidi e alcali a temperatura ambiente per evitare la contaminazione della superficie del wafer.

—Stabilità termica: mantiene le prestazioni anche ad alte temperature, adatto per lucidatura ad alta velocità.

–Forma affilata delle particelle: garantisce un’efficace capacità di taglio, ma è necessario controllare l’uniformità delle particelle per evitare graffi.

2. Applicazione nella lucidatura dei semiconduttori

—Fase di lucidatura grossolana: utilizzata per rimuovere difetti più grandi o tracce di lavorazione sulla superficie del wafer (ad esempio strati danneggiati dopo il taglio e la macinazione).

—Lucidatura di wafer in carburo di silicio (SiC): il carburo di silicio verde ha la stessa durezza dei materiali dei wafer in SiC per ridurre i danni superficiali.

—Applicazioni ausiliarie: utilizzato per lucidare materiali duri e fragili come substrati di zaffiro e vetro ottico.

3. Requisiti di qualità chiave
—Distribuzione granulometrica: deve essere altamente uniforme (ad esempio D50 1–5μm) per evitare graffi causati da particelle di grandi dimensioni.

—Purezza: elevata purezza (≥99,9%) per ridurre la contaminazione da impurità metalliche (come Fe, Al).

—Morfologia delle particelle: deve essere sferica o equisuperficiale per ridurre la rugosità superficiale.

—Sospensione: dispersione stabile nel liquido lucidante per evitare la sedimentazione.